具有非凡光電特性的鹵化物鈣鈦礦半導(dǎo)體已引起人們的興趣。鹵化物鈣鈦礦納米晶體、單晶和薄膜已被制備用于各種領(lǐng)域，例如光發(fā)射、光檢測和光收集。高性能器件依賴于由成核和晶體生長過程決定的高晶體質(zhì)量。鑒于此，2022年4月6日華中科技大學(xué)梅安意&韓宏偉團(tuán)隊(duì)于AM刊發(fā)納米晶體、單晶和薄膜中的鈣鈦礦結(jié)晶過程和方法的綜述。在這篇綜述中，對由溶液過飽和驅(qū)動的結(jié)晶過程進(jìn)行了基本的理解，并總結(jié)了鹵化物鈣鈦礦晶體的那些方法。過飽和決定了參與自發(fā)聚集的表面和體積分子單元的比例和平均吉布斯自由能變化，這在溶液中可能是穩(wěn)定的，并且只有當(dāng)溶液超過所需的最小臨界濃度 (Cmin) 時才會誘導(dǎo)均勻成核。由于存在表面，晶體生長和異相成核在熱力學(xué)上比均相成核更容易。納米晶主要是通過在 Cmin上快速增加濃度以成核為主的過程制備，單晶主要通過保持溶解度和 Cmin之間的濃度通過生長為主的過程來制備，而薄膜主要是通過影響成核和生長來制備確保致密性和粒度的工藝。還回顧了制備這三種形式的鹵化物鈣鈦礦的典型策略。