對于鈣鈦礦太陽能電池 (PSC)，界面缺陷的存在限制了器件的效率和長期穩(wěn)定性。合理鈍化界面缺陷和減少鈣鈦礦層的非輻射復(fù)合是實現(xiàn)高效鈣鈦礦太陽能電池的有效途徑。鑒于此，2022年4月8日大連理工大學(xué)Yudi Wang&史彥濤團(tuán)隊及其合作團(tuán)隊杭州眾能光電科技有限公司石磊團(tuán)隊于CEJ刊發(fā)埋在SnO2層中的不對稱有機二銨鹽可實現(xiàn)高效鈣鈦礦太陽能電池的快速載流子轉(zhuǎn)移和界面缺陷鈍化的研究成。報道了一種有效的方法，即使用埋在 SnO2層中的 N,N-二甲基-1,3-丙二胺二氫碘化物 (DMAPAI2) 的不對稱二銨鹽來修飾電子傳輸層 (ETL) 和鈣鈦礦 (PVK) 層之間的界面。DMAPAI2改性SnO2不僅提高了SnO2 電子傳輸層的電子遷移率，而且優(yōu)化了ETL/PVK界面的能級排列。此外，PVK的結(jié)晶度提高，掩埋界面處的缺陷被鈍化?；谶@一策略，鈣鈦礦太陽能電池的功率轉(zhuǎn)換效率（PCE）從20.78%顯著提高到23.20%。同時，與對照裝置相比，DMAPAI2修飾的鈣鈦礦太陽能電池在最大功率點1太陽光照下表現(xiàn)出更好的運行穩(wěn)定性，連續(xù)照射1200 h后仍保持其初始效率的85%以上。這些結(jié)果表明，在電子傳輸層中埋入合適的銨鹽是一種有效的界面改性策略，可提高器件的效率和穩(wěn)定性。