盡管金屬鹵化物鈣鈦礦在各種光電子學(xué)中取得了令人矚目的發(fā)展，但由于離子遷移和大有機(jī)間隔物隔離，采用最先進(jìn)的鈣鈦礦通道的高性能晶體管的進(jìn)展受到限制。鑒于此，2022年4月1日浦項(xiàng)科技大學(xué)Yong-Young Noh團(tuán)隊(duì)及其合作團(tuán)隊(duì)于NC刊發(fā)通過(guò)陰離子工程實(shí)現(xiàn)高性能無(wú)滯后鈣鈦礦晶體管的研究成果。報(bào)告了基于甲基銨錫碘化物 (MASnI3) 的高性能無(wú)滯后 p 溝道鈣鈦礦薄膜晶體管 (TFT)，并合理解釋了鹵化物 (I/Br/Cl) 陰離子工程對(duì)薄膜質(zhì)量改進(jìn)和錫的影響/碘空位抑制，實(shí)現(xiàn)20?cm² V^-1 s^-1的高空穴遷移率，超過(guò)10⁷的電流開(kāi)/關(guān)比，0?V的閾值電壓以及高運(yùn)行穩(wěn)定性和可重復(fù)性。揭示了離子遷移對(duì)Sn基鈣鈦礦TFT的滯后作用的貢獻(xiàn)可以忽略不計(jì)；相反，少數(shù)載流子俘獲是主要原因。最后，將鈣鈦礦TFT與商業(yè)化的n溝道銦鎵鋅氧化物TFT集成在單個(gè)芯片上，以構(gòu)建高增益互補(bǔ)逆變器，促進(jìn)開(kāi)發(fā)鹵化物鈣鈦礦半導(dǎo)體用于可印刷電子和電路。