鈣鈦礦光伏發(fā)展迅速，但關(guān)于點缺陷的問題仍然存在：雖然實驗已檢測到電活性缺陷的存在，但尚未報道經(jīng)實驗證實的微觀鑒定。鑒于此，2021年9月22日英國鄧迪大學David J. Keeble團隊于Nature Communications刊發(fā)鈣鈦礦鉛空位缺陷的鑒定的研究成果。在密度泛函理論的幫助下使用正電子湮沒壽命光譜確定了 MAPbI3 (MA=CH3NH3⁺) 中的鉛空位 (VPb) 缺陷。薄膜和單晶樣品的實驗都表現(xiàn)出主導正電子捕獲導致空位缺陷，并且確定了~3×10¹⁵ cm^-3的最小缺陷密度。還有證據(jù)表明在空位復合物 (VPbVI)^-處被捕獲——在少數(shù)樣品中，但沒有觀察到 MA 離子空位的捕獲。實驗結(jié)果支持其他第一性原理研究的預測，即深能級、空穴捕獲、V_Pb^2-、點缺陷是MAPbI3中最穩(wěn)定的缺陷之一。這種在技術(shù)相關(guān)濃度下直接檢測和識別鈣鈦礦中的深層天然缺陷將有助于進一步研究缺陷驅(qū)動機制。